多晶矽（guī）生產（chǎn）設備清洗的意（yì）義

多晶（jīng）矽按不同的用途可分為太陽能級多晶矽和電子級多晶矽兩（liǎng）類。太（tài）陽能級多晶矽的純度一般在5～7N，主（zhǔ）要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽能（néng）三級品要求)。電子級（jí）多晶矽一般含Si＞99.9999%以（yǐ）上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導（dǎo）電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯離子殘（cán）留、金屬氧化物、氯化物、灰塵及其他雜質，對多晶矽的（de）純度影響極大。在多（duō）晶矽（guī）設備製造、安裝和多晶矽生產過程中（zhōng）清洗是（shì）十（shí）分重（chóng）要（yào）的部分，要按多晶矽生產工藝，對不同潔淨度要求、不同材質的設備采用不同的清洗方法。'
 
多晶矽設備的清（qīng）洗的不同階段：

1、設備製造階段的清洗

金屬設備及管道、零件需要在除漆前將表（biǎo）麵的氧化皮和（hé）鐵鏽除掉，設備（bèi）內部（bù）的油脂、軋製鱗片、鏽皮等也需要進行清（qīng）洗。

2、多晶矽設備安裝階段的清潔

由（yóu）於工藝管道輸送的（de）介質特性及產品純度要求，對管道的（de）焊接（jiē）質量及內（nèi）部清潔、吹掃試壓均有較高（gāo）要求，對設備進場驗收（shōu）、檢驗及（jí）安裝、內部處理也有（yǒu）較高要（yào）求，因此設備製造結束（shù）後的清洗（xǐ）處理（lǐ）至關重（chóng）要。在裝置進行試生產前期，係統注入四（sì）氯化矽進行循環清洗約2～3個月，時間的長短（duǎn）取決於（yú）設備（bèi）前期清洗情況。

3、多晶矽設備生產期間的清洗

還原爐（lú）和氫化爐是改良西門子法生產多晶矽的核心（xīn）設備，其（qí）運行好（hǎo）壞直接影響多晶矽質量及生產（chǎn）成本。多晶矽生（shēng）產對還原爐的沉積環境的潔淨度要求特別關（guān）鍵，任何顆（kē）粒性雜質（zhì）、油脂等物質餘留在爐內（nèi），都會對產品質量造成影響。北京（jīng）德高潔（jié）清潔設備有限公司經過研發設計並製造出了多晶矽自（zì）動化還原（yuán）爐鍾罩清洗係（xì）統，可以（yǐ）完（wán）全將多晶矽還原爐鍾罩清洗（xǐ）幹淨，滿足生產需求。

德高潔電（diàn）子（zǐ）級多晶矽還原爐鍾罩清洗係統包括低壓熱水清洗動力裝置、三維洗（xǐ）罐器（qì）、旋轉和升降（jiàng）執（zhí）行機構、清洗工作台、萬級淨（jìng）化幹燥係統、循（xún）環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清洗工作（zuò）台、電氣（qì）控製係統（tǒng）等，係統實現了鍾罩（zhào）的全自動清洗和烘幹操作。
 
電子（zǐ）級多晶矽還（hái）原爐鍾罩自動（dòng）清洗係（xì）統特點：以水力自驅動三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴射（shè）來（lái）完成爐筒內部表麵（miàn）的水力掃（sǎo）射。配以旋轉和升降（jiàng）的清洗吹幹執行機構，準（zhǔn）確定（dìng）位。操作簡單方便，係統控（kòng）製，清（qīng）洗、吹幹自行調整。不僅可以滿足對內壁和視孔鏡的（de）清洗，同時也滿足了底部（bù）法蘭的清洗。

在整個還原爐的清洗過（guò）程中，清洗、幹燥（zào）中筒內形成微負壓狀（zhuàng）態，防止清洗外溢，同時將底（dǐ）座與筒體下法蘭處（chù）的汙染物等（děng）一（yī）並吹掃，通過排汙管排出，從而保證了整個過程不會對潔（jié）淨區造成汙染。

生產多晶矽的工藝複雜（zá），設備清洗是可以降低能耗保證多晶矽產品質量的（de）。多晶矽生產企業對設備須從選型（xíng）、選材、清洗等方麵進行合理、科（kē）學（xué）的管（guǎn）理，應用現代技術，進行（háng）全程清洗，以（yǐ）充分發揮設（shè）備功效，為安全、高效生產創造條件。